Preparation of CdS-PbS solid solutions thin films by modifying of the cadmium sulfide film surface when it exposed to an aqueous solution of lead salt

摘要

Изучены состав, структура и морфология многофазных полупроводниковых пленок свежеосажденного сульфида кадмия и пленок CdS, выдержанных в растворе ацетата свинца PbAc2. Композиции на основе сульфида кадмия, образовавшиеся на межфазной границе CdSтв/Pb2+(aqua), исследовали методами электронной микроскопии, а также с помощью спектров комбинационного рассеяния. Впервые показана возможность получения твердых растворов замещения в халькогенидных системах путем ионного обмена на межфазной границе «пленка халькогенида металла - водный раствор». Обобщая полученные результаты, можно заключить, что выдержка химически осажденных пленок сульфида кадмия в водном растворе соли свинца обеспечивает включение PbS в состав пленки с образованием тонкопленочных композиций CdS-PbS, в том числе твердых растворов замещения Pb1-xCdxS. При этом последующая термообработка слоев при 423 K повышает содержание сульфида свинца в твердом растворе.